0
-0.8
2.0
2.0
1
96
32
5.0
0.6
0.2
0.1
0.1
0.2
0.1
0.1
0.15
300.
0.32
1.03e-13
11.7
1400e-4
3.e5
1.e5
3.9e-7
1.e2
1.e2

01 <------- 0=v_bias variabile, v_gate costante, 1=v_bias costante, v_gate variabile
02 <------- voltaggio del contatto che non varia
03 <------- voltaggio minimo della curva I-V
04 <------- voltaggio massimo della curva I-V
05 <------- numero di punti sulla curva I-V (minimo=1)
06 <------- numero di punti griglia in direzione x
07 <------- numero di punti griglia in direzione y
08 <------- tempo finale per ogni simulazione in picosecondi
09 <------- lunghezza x del dispositivo in micron
10 <------- lunghezza y del dispositivo in micron
11 <------- lunghezza x del source in micron
12 <------- distanza x tra il source ed il gate in micron
13 <------- lunghezza x del gate in micron
14 <------- distanza x tra il gate ed il drain in micron
15 <------- lunghezza x del drain in micron
16 <------- larghezza y del doping in micron
17 <------- temperatura del dispositivo in gradi Kelvin
18 <------- mstar/massa elettronica
19 <------- velocita' di saturazione in micron/picosec
20 <------- cost. dielettr. rel. del Si
21 <------- low field mobility del Si in micron^2 / Volt*picosec
22 <------- doping density n+ in micron^-3
23 <------- doping density n in micron^3
24 <------- doping density for an eventual Schottky contact
25 <------- doping density p in micron^-3
26 <------- doping density p+ in micron^-3